بررسي جزيي حافظه هاي جانبي

[rezalaghaian]

حافظه هاي فلش حافظه هاي الکترونيکي در انواع گوناگون و براي مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه هاي فلش به دليل سرعت بالاي آنها در ثبت اطلاعات و همچنين استفاده فوق العاده آسان بسيار پر فروش و پر طرف دار مي باشند . از اين رو در دوربين هاي ديجيتالي ، تلفن همراه و ساير دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستيم .

شيوه ذخيره اطلاعات در اين نوع از حافظه بسيار شبيه به ذخيره اطلاعات در RAM مي باشد . در حقيقت حافظه هاي فلش در نحوه فعاليت مشابه يک منبع ذخيره اطلاعات ثابت عمل مي کند . به اين معني که در آنها هيچ قطعه متحرکي به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونيکي انجام مي شود . در مقابل درون ديسک هاي سخت چندين قسمت متحرک وجود دارد که اين وضع خود آسيب پذير بودن اين گونه حافظه را نسبت به حافظه هاي فلش نشان مي دهد .
قطعاتي از قبيل تراشه هاي BIOS ، حافظه هاي فلش متراکم شده که در دوربين هاي ديجيتالي به کار مي روند ، حافظه هاي هوشمند ، Memory Stick و کارت هاي حافظه که در کنسول هاي بازي به کار مي روند همه و همه از اين نوع حافظه استفاده مي کنند .

در اين قسمت به فن آوري و زير ساخت اين نوع حافظه نگاهي کوتاه داريم . حافظه هاي فلش از تراشه هاي EEPROM ساخته شده اند . همان طور که در مقالات قبلي ذکر شد در اين گونه از حافظه ها ذخيره و حذف اطلاعات توسط جريان هاي الکتريکي صورت مي پذيرد . اين گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون هاي مختلف شبکه اي منظم را پديد مي آورند . در اين شبکه هر بخش کوچک داراي شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از اين بخش ها يک سلول حافظه ناميده مي شود . هر کدام از اين سلول ها ازتعدادي ترانزيستور ساخته شده و هر کدام از اين سلول ها توسط لايه هاي اکسيد از ديگر سلول ها جدا مي باشد . درداخل اين سلول ها دو ترانزيستور معروف با نام هاي Floating gate و Control gate استفاده مي شود . Floating gate به خط ارتباطي سطر ها متصل بوده و تا زماني که ارتباط بين اين دو ترانزيستور برقرار باشد ، اين سلول داراي ارزش ١ مي باشد . اين سلول ها مي توانند داراي ارزش ١ و يا ٪ باشند .

[rezalaghaian]

Tunneling :
اين روش براي تغيير دادن مکان الکترون هاي ايجاد شده در Floating gate بکار مي رود . اغلب سيگنال هاي شارژ الکترونيکي بين ١٪ تا ١٣ ولت مي باشند که اين ميزان توسط Floating gate استفاده مي شود . در زمان Tunneling اين ميزان توسط ستون ها از Floating gate گذشته و به زمين منتقل مي شود . اين سيگنال باعث مي شود که اين ترانزيستور مشابه يک تفنگ الکتروني وارد عمل شود . اين تفنگ الکتروني ، الکترون ها به خارج لايه اکسيد شده رانده و بدين ترتيب باعث از بين رفتن آنها مي شود .
در اينجا واحد مخصوصي به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عمل Tunneling همراه با مقدارش را ثبت مي کند . اگر مقدار اين سيگنال که از ميان دو ترانزيستور مي گذرد کمتر از نصف آستانه حساسيت حسگر باشد ، براي آن سلول در ارزش گذاري رقم ٪ ثبت مي شود . ذکر اين نکته ضروري است که اين سلول ها در حالت عادي داراي ارزش ١ هستند .
با اين توضيحات ممکن است فکر کنيد که درون راديو خودروي شما يک حافظه فلش قراردارد . درست حدس زديد ، اطلاعات ايستگاه هاي راديوئي مورد علاقه شما در نوعي حافظه به اسم Flash ROM ذخيره مي شود . البته نحوه ثبت و نگهداري اطلاعات در اين نوع حافظه به کلي با Flash memory فرق مي کند . اين نوع حافظه براي نگهداري اطلاعات به يک منبع الکتريسيته خارجي احتياج دارد . در صورتي که حافظه هاي فلش بدون نياز به منبع خارجي اطلاعات را ثبت و ضبط مي کنند .
زماني که شما اتومبيل خود را خاموش مي کنيد جريان بسيار کمي به سمت اين حافظه در جريان است و همين جريان بسيار کم براي حفظ اطلاعات شما کافي مي باشد . ولي با تمام شدن باتري خودرو و يا جدا کردن سيم برق کليه اطلاعات ثبت شده از بين مي رود .

امروزه اين فن آوري ، آنقدر سريع توسعه مي يابد که تا چند سال ديگر قادر به ذخيره اطلاعات معادل ٤٪ گيگا بايت در فضائي به اندازه يک سانتي متر مربع هستيم . هم اکنون نيز اين حافظه ها در ابعاد بسيار کوچک در ظرفيت هاي گوناگون در دسترس همه قرار دارد .