دومين سازنده بزرگ حافظه فلش ناند در جهان قصد دارد در سال جاري تراشه‌هاي حافظه پيشرفته بسازد.
به گزارش سرويس فن‌آوري اطلاعات خبرگزاري دانشجويان ايران (ايسنا)، توشيبا قصد دارد 15 ميليارد ين (160 ميليون دلار) براي ساخت خط توليد آزمايشي تراشه‌هاي حافظه فلش پيشرفته صرف كند.
طبق گزارش روزنامه اقتصادي نيك كي، اين شركت كه پس از سامسونگ دومين سازنده بزرگ حافظه فلش است، تجهيزات ساخت تراشه را از ASML براي ساخت ريزتراشه‌هايي كه پهناي مدار آن‌ها كم‌تر از 25 نانومتر است، سفارش داده است.
مدارهاي باريك‌تر به سازندگان نيمه‌رسانا امكان مي‌دهند ظرفيت ذخيره‌سازي بيش‌تري را در يك قطعه سيليكون كوچك‌تر جاي داده و هزينه‌هاي توليد به ازاي هر تراشه را كاهش دهند.
توشيبا در حال حاضر تراشه‌هاي حافظه فلش ناند با پهناي مدار 32 و 43 نانومتر مي‌سازد؛ يك نانومتر يك ميلياردم يك متر است.