3rdoor
12-02-2012, 03:36 PM
http://pnu-club.com/imported/2012/12/97.jpg
حافظه فلش سامسونگ
سامسونگ در ماه آکوست اعلام نمود که تولید انبوه تراشه‌های فوق سریع حافظه eMMC را در دستور کار خود قرار داده است، حال به نظر می‌رسد که تولید این تراشه‌های فوق‌العاده باریک، سریع و کوچک آغاز شده است. پیش از این تراشه‌های حافظه فلش eMMC سامسونگ با لیتوگرافی ۲۰ نانومتری تولید می‌شدند، اما حافظه جدید 64GB این شرکت دارای لیتوگرافی ۱۰ نانومتری است که از نظر فیزیکی ۲۰ درصد کوچک‌تر از مدل‌های قبلی می‌باشد.
حافظه ۱۰ نانومتری جدید سامسونگ ۲۰ درصد کوچک‌تر و ۳۰ درصد سریعتر از مدل ۲۰ نانومتری قبلی است.
اگر چه تنها چند ماه از استفاده سامسونگ از فناوری JEDEC MMC 4.5 می‌گذرد، اما سامسونگ قصد دارد تا از سال آینده از استاندارد جدید ۱۰ نانومتری برای تولید حافظه ۶۴ گیگابایتی بهره ببرد. سرعت نوشتن اطلاعات در تراشه حافظه جدید سامسونگ 2,000 IOPS (ورودی / خروجی در هر ثانیه) و سرعت خواندن اطلاعات نیز در آن 5,000 IOPS (ورودی / خروجی در هر ثانیه) است. این در حالی است که سرعت نوشتن/خواندن اطلاعات در نسل قبلی تراشه‌های حافظه سامسونگ برابر 1,500/3,500 می‌باشد.
براساس گزارش‌های اعلام شده پهنای باند این حافظه‌ها نیز 260MB/s (مگابایت در ثانیه) در خواندن اطلاعات و50MB/s در نوشتن اطلاعات است.
تولید این تراشه‌ها از اواسط ماه گذشته آغاز شده و قرار است به زودی در تبلت و تلفن‌های هوشمند باریک استفاده شوند. اما سامسونگ تاریخ دقیقی برای عرضه عمومی آنها اعلام نکرده است.
منبع:سامسونگ تولید تراشه ۱۰ نانومتری حافظه فلش با ظرفیت ۶۴ گیگابایت را آغاز کرد companies (http://bestsmartgadgets.wordpress.com/2012/12/02/%d8%b3%d8%a7%d9%85%d8%b3%d9%88%d9%86%da%af-%d8%aa%d9%88%d9%84%db%8c%d8%af-%d8%aa%d8%b1%d8%a7%d8%b4%d9%87-%db%b1%db%b0-%d9%86%d8%a7%d9%86%d9%88%d9%85%d8%aa%d8%b1%db%8c-%d8%ad%d8%a7%d9%81%d8%b8%d9%87/)
حافظه فلش سامسونگ
سامسونگ در ماه آکوست اعلام نمود که تولید انبوه تراشه‌های فوق سریع حافظه eMMC را در دستور کار خود قرار داده است، حال به نظر می‌رسد که تولید این تراشه‌های فوق‌العاده باریک، سریع و کوچک آغاز شده است. پیش از این تراشه‌های حافظه فلش eMMC سامسونگ با لیتوگرافی ۲۰ نانومتری تولید می‌شدند، اما حافظه جدید 64GB این شرکت دارای لیتوگرافی ۱۰ نانومتری است که از نظر فیزیکی ۲۰ درصد کوچک‌تر از مدل‌های قبلی می‌باشد.
حافظه ۱۰ نانومتری جدید سامسونگ ۲۰ درصد کوچک‌تر و ۳۰ درصد سریعتر از مدل ۲۰ نانومتری قبلی است.
اگر چه تنها چند ماه از استفاده سامسونگ از فناوری JEDEC MMC 4.5 می‌گذرد، اما سامسونگ قصد دارد تا از سال آینده از استاندارد جدید ۱۰ نانومتری برای تولید حافظه ۶۴ گیگابایتی بهره ببرد. سرعت نوشتن اطلاعات در تراشه حافظه جدید سامسونگ 2,000 IOPS (ورودی / خروجی در هر ثانیه) و سرعت خواندن اطلاعات نیز در آن 5,000 IOPS (ورودی / خروجی در هر ثانیه) است. این در حالی است که سرعت نوشتن/خواندن اطلاعات در نسل قبلی تراشه‌های حافظه سامسونگ برابر 1,500/3,500 می‌باشد.
براساس گزارش‌های اعلام شده پهنای باند این حافظه‌ها نیز 260MB/s (مگابایت در ثانیه) در خواندن اطلاعات و50MB/s در نوشتن اطلاعات است.
تولید این تراشه‌ها از اواسط ماه گذشته آغاز شده و قرار است به زودی در تبلت و تلفن‌های هوشمند باریک استفاده شوند. اما سامسونگ تاریخ دقیقی برای عرضه عمومی آنها اعلام نکرده است.
منبع:سامسونگ تولید تراشه ۱۰ نانومتری حافظه فلش با ظرفیت ۶۴ گیگابایت را آغاز کرد companies (http://bestsmartgadgets.wordpress.com/2012/12/02/%d8%b3%d8%a7%d9%85%d8%b3%d9%88%d9%86%da%af-%d8%aa%d9%88%d9%84%db%8c%d8%af-%d8%aa%d8%b1%d8%a7%d8%b4%d9%87-%db%b1%db%b0-%d9%86%d8%a7%d9%86%d9%88%d9%85%d8%aa%d8%b1%db%8c-%d8%ad%d8%a7%d9%81%d8%b8%d9%87/)