fr.chemi3t
09-16-2012, 09:15 PM
اخيرا پژوهشگران روشي براي تقويت سطح ژرمانيوم يافته‌اند که موجب افزايش هدايت الکتريکي آن مي‌شود. در اين روش محققان از فسفين در خلاء بالا استفاده کرده‌اند. نتايج اين پژوهش با محاسبات نظري انطباق کامل دارد.
تقويت کردن به فرآيندي اطلاق مي‌شود که در آن اتم‌هاي ناخالصي به‌درون مواد نيمه‌هادي تزريق مي‌شود با اين کار حاملين بار در مواد نيمه‌هادي ايجاد مي‌شوند. اين کار از همان مراحل اوليه ساخت قطعات الکترونيک انجام مي‌گردد. در اين ميان تقويت کردن با ژرمانيوم غليظ موجب افزايش شديد در هدايت الکتريکي مواد نيمه‌هادي مي‌شود به‌همين دليل اين موضوع در کانون توجه محققان حوزه الکترونيک بوده است. اين فرآيند يکي از اصلي‌ترين مراحل توسعه ليزرهاي قابل انطباق با سيليکون و همچنين ادوات پردازش اطلاعات کوانتومي است. محققان اخيرا نشان دادند که مي‌توان از مولکول‌هاي تقويت کننده متراکم در سطح ژرمانيم استفاده کرد با اين کار مولکول‌هاي تقويت کننده سازماندهي خود را تغيير داده و به شکل الگوهايي در سطح در خواهند آمد، در نتيجه اتم‌هاي فسفر تقويت کننده به‌نحوي شکل مي‌گيرند که به ازاي هر اتم فسفر دو اتم ژرمانيوم وجود داشته باشد.
جيوردانو اسکاپوچي، محقق دپارتمان فيزيک دانشگاه نيوسوث ولز مي‌گويد وجود اين لايه متراکم با استفاده از محاسبات نظري تاييد شده است. در اين محاسبات از انرژي‌هاي مرتبط با واکنش براي توضيح مراحل ابتدايي تقويت شدن سطح استفاده شده است. اسکاپوچي مي‌گويد بررسي‌ها در چنين مقياس اتمي اهميت زيادي دارد، اين بررسي‌ها اطلاعات لازم براي بهبود فرآيندهاي تقويت کردن قطعات الکترونيکي مبتني بر ژرمانيوم را تامين مي‌کند. نتايج اين تحقيق در شماره اگوست نشريه Physical Review Letters در قالب مقاله‌اي تحت عنوان "n-Type N (فسفري) مي‌نامند که خصوصيات رسانش را بيان مي‌کند. '> Doping of Germanium from Phosphine: Early Stages Resolved at the Atomic Level" به چاپ رسيده است.
http://pnu-club.com/imported/2012/09/514.jpg
در اين مقاله نشان داده شده است که اگر مولکول‌هاي فسفين روي سطح ژرمانيوم نشست داده شوند، اين مولکول‌ها به‌صورت طبيعي الگوهايي را بوجود مي‌آورند که در اين الگوها هر اتم فسفر در مقابل دو اتم ژرمانيوم قرار گرفته است که در نهايت سطح را به‌صورت متراکم پوشش مي‌دهد. در اين پروژه محققاني از دانشگاه سيدني و دانشگاه دي روما تري همکاري داشته‌اند. اين تيم تحقيقات بين المللي با استفاده از ميکروسکوپ تونل‌زني روبشي واکنش‌هاي شيميايي را در سطح اتمي مطالعه کردند، نتايج کار اين گروه با محاسبات نظري انطباق کامل دارد. ترکيب مطالعات نظري و تجربي روي مولکول‌هاي فسفين موجود در سطح ژرمانيوم، مرحل مهم و حساسي در فرآيند تقويت لايه اتمي محسوب مي‌شود.
هدف اين گروه تحقيقاتي درک فرآيند تقويت ژرمانيوم با استفاده از فسفين است. نتايج اين تحقيق نشان داد که اگر در خلاء‌هاي بسيار بالا فرآيند تقويت با فسفين انجام شود غلظت الکتروني سطح ژرمانيوم افزايش شديدي پيدا مي‌کند.
تقويت کردن به فرآيندي اطلاق مي‌شود که در آن اتم‌هاي ناخالصي به‌درون مواد نيمه‌هادي تزريق مي‌شود با اين کار حاملين بار در مواد نيمه‌هادي ايجاد مي‌شوند. اين کار از همان مراحل اوليه ساخت قطعات الکترونيک انجام مي‌گردد. در اين ميان تقويت کردن با ژرمانيوم غليظ موجب افزايش شديد در هدايت الکتريکي مواد نيمه‌هادي مي‌شود به‌همين دليل اين موضوع در کانون توجه محققان حوزه الکترونيک بوده است. اين فرآيند يکي از اصلي‌ترين مراحل توسعه ليزرهاي قابل انطباق با سيليکون و همچنين ادوات پردازش اطلاعات کوانتومي است. محققان اخيرا نشان دادند که مي‌توان از مولکول‌هاي تقويت کننده متراکم در سطح ژرمانيم استفاده کرد با اين کار مولکول‌هاي تقويت کننده سازماندهي خود را تغيير داده و به شکل الگوهايي در سطح در خواهند آمد، در نتيجه اتم‌هاي فسفر تقويت کننده به‌نحوي شکل مي‌گيرند که به ازاي هر اتم فسفر دو اتم ژرمانيوم وجود داشته باشد.
جيوردانو اسکاپوچي، محقق دپارتمان فيزيک دانشگاه نيوسوث ولز مي‌گويد وجود اين لايه متراکم با استفاده از محاسبات نظري تاييد شده است. در اين محاسبات از انرژي‌هاي مرتبط با واکنش براي توضيح مراحل ابتدايي تقويت شدن سطح استفاده شده است. اسکاپوچي مي‌گويد بررسي‌ها در چنين مقياس اتمي اهميت زيادي دارد، اين بررسي‌ها اطلاعات لازم براي بهبود فرآيندهاي تقويت کردن قطعات الکترونيکي مبتني بر ژرمانيوم را تامين مي‌کند. نتايج اين تحقيق در شماره اگوست نشريه Physical Review Letters در قالب مقاله‌اي تحت عنوان "n-Type N (فسفري) مي‌نامند که خصوصيات رسانش را بيان مي‌کند. '> Doping of Germanium from Phosphine: Early Stages Resolved at the Atomic Level" به چاپ رسيده است.
http://pnu-club.com/imported/2012/09/514.jpg
در اين مقاله نشان داده شده است که اگر مولکول‌هاي فسفين روي سطح ژرمانيوم نشست داده شوند، اين مولکول‌ها به‌صورت طبيعي الگوهايي را بوجود مي‌آورند که در اين الگوها هر اتم فسفر در مقابل دو اتم ژرمانيوم قرار گرفته است که در نهايت سطح را به‌صورت متراکم پوشش مي‌دهد. در اين پروژه محققاني از دانشگاه سيدني و دانشگاه دي روما تري همکاري داشته‌اند. اين تيم تحقيقات بين المللي با استفاده از ميکروسکوپ تونل‌زني روبشي واکنش‌هاي شيميايي را در سطح اتمي مطالعه کردند، نتايج کار اين گروه با محاسبات نظري انطباق کامل دارد. ترکيب مطالعات نظري و تجربي روي مولکول‌هاي فسفين موجود در سطح ژرمانيوم، مرحل مهم و حساسي در فرآيند تقويت لايه اتمي محسوب مي‌شود.
هدف اين گروه تحقيقاتي درک فرآيند تقويت ژرمانيوم با استفاده از فسفين است. نتايج اين تحقيق نشان داد که اگر در خلاء‌هاي بسيار بالا فرآيند تقويت با فسفين انجام شود غلظت الکتروني سطح ژرمانيوم افزايش شديدي پيدا مي‌کند.