ک شرکت تحقیقاتی تایوانی اعلام کرد که از این پس RRAM یا رم‌های مقاومتی می‌توانند به عنوان یک تراشه حافظه‌ای جایگزین برای DRAM و حافظه‌های فلش ناند مورد استفاده قرار گیرند.
به گزارش پی‌سی‌ورلد، حافظه‌های DRAM مهم‌ترین حافظه‌هایی هستند که طی دهه‌های گذشته در رایانه‌ها مورد استفاده قرار گرفته‌اند و به دلیل توانایی در اجرای اطلاعات با سرعت بالا، از ارزش زیادی برخوردارند.
حافظه‌های فلش ناند نیز از فناوری‌های جدید محسوب می‌شوند که بازار آن با سرعت قابل‌ملاحظه‌ای رشد کرده است، زیرا این امکان را به وجود آورده‌اند تا حجم زیادی از فایل‌های صوتی، عکس و دیگر اطلاعات در رایانه لوحی آی‌پد، دستگاه چندرسانه‌ای قابل‌حمل آی‌پاد، گوشی آیفون، دوربین‌های دیجیتالی و دیگر محصولات ذخیره شود.
محققان موسسه تحقیقات فناوری تایوان(ITRI) بر این باورند که RRAM توانایی کامل خود را به اثبات رسانده و می‌تواند طی سال‌های آتی به صورت گسترده وارد بازار شود.
"تسای مینگ-جین " مدیر تحقیقات مرکز فناوری نانوالکترونیک در موسسه ITRI توضیح داد: ما هنوز در مراحل نخست توسعه این فناوری به‌سر می‌بریم. ما هم‌اکنون نمی‌توانیم به حافظه‌های DRAM اعتماد کامل داشته باشیم.
تاکنون بیشتر فعالیت‌های تحقیقاتی مبتکرانه روی تراشه‌های حافظه بر DRAM و حافظه‌های فلش ناند تمرکز داشته است، زیرا این دو محصول توانسته‌اند به صورت گسترده بازار را در اختیار بگیرند. بر اساس اطلاعات منتشر شده از سوی مرکز iSuppli، ارزش بازار جهانی DRAM در سال گذشته به‌تنهایی 24 میلیارد دلار اعلام شد.
باید توجه داشت که به‌طور معمول بیشتر تلاش‌ها برای بیرون کردن این دو حافظه از بازار تاکنون با شکست مواجه شده است. برای مثال، حافظه‌های PRAM یا (Phase-change memory) یکی از بخش‌ها در دنیای تراشه‌های حافظه‌ای محسوب می‌شوند که مرکز ITRI قصد دارد در سال جاری میلادی تمرکز خود را بر آن‌ها کاهش دهد و دیگر برای توسعه و تولید آن تلاش نکند.
نسل جدید تراشه‌های حافظه با نام «آر رم»
پاسخ با نقل قول
